Kfpicks nos recomienda un pronóstico para el ATP de Lexington.
En el próximo enfrentamiento de dieciseisavos en el torneo de Lexington sobre cancha dura, se enfrentarán Liam Draxl y Joao Fonseca, presentando una dinámica interesante entre dos jugadores con trayectorias recientes distintas.
Liam Draxl, actualmente en el puesto 271 del ranking mundial, ha demostrado resistencia y capacidad para rendir bajo presión. Su desempeño reciente en canchas duras ha sido notable, con victorias impresionantes como la obtenida contra Gijs Brouwer, de mayor ranking. Aunque ha tenido algunos altibajos, su victoria sobre Yasutaka Uchiyama subraya su capacidad para sorprender. Draxl tiene una tasa de victorias del 60% en sus últimos 15 partidos en cancha dura, lo que destaca su eficacia en esta superficie.
En contraste, Joao Fonseca, en el puesto 214, ha mostrado formas fluctuantes pero ha estado subiendo en el ranking. Su reciente victoria sobre Kaichi Uchida sugiere un buen estado de forma, aunque su derrota ante Gabriel Diallo revela posibles vulnerabilidades bajo presión. Su tasa de victorias en cancha dura es del 50%, lo que indica una falta de consistencia frente a jugadores más experimentados en esta superficie.
Analizando las tendencias de forma y rendimiento, Liam Draxl parece tener una ventaja táctica, especialmente si puede aprovechar las inconsistencias recientes de Fonseca. Aunque Fonseca ha logrado algunas victorias tácticas, su rendimiento general sugiere dificultades contra jugadores que pueden mantener alta intensidad y versatilidad, como Draxl en canchas duras.
La falta de enfrentamientos previos entre ambos podría darle a Draxl un elemento de imprevisibilidad a su favor. Su desempeño ligeramente superior en canchas duras y su capacidad para superar a jugadores de ranking similar o superior al de Fonseca lo posicionan como favorito en este partido.
Por tanto, predecir una victoria para Liam Draxl parece una apuesta calculada, respaldada por su rendimiento en superficies duras y su habilidad para enfrentar a oponentes de alto nivel.
